1、Ie=Ib+Ic 2、Ic=βIb
1、發(fā)射區(qū)高摻雜 2、基區(qū)低摻雜且較薄 3、集電區(qū)面積較大
最新試題
采用分壓式偏置電路后,()基本不隨溫度變化。
單邊帶發(fā)射機的優(yōu)點是()
如圖所示電路,晶體管的β=100,rbe=1kΩ,Rc=3kΩ。1.現(xiàn)測得靜態(tài)管壓降UCEQ=6V,試求Rb阻值。2.若測得和的有效值分別為1mV和100mV,求負載電阻RL大小。
在實際工作中,要想傳輸信號能量,其電壓駐波比應(yīng)該()。
要改善分壓式偏置電路的溫度特性,可以用一個()的熱敏電阻與上偏置電阻RB1并聯(lián)。