填空題常規(guī)的硅材料拋光方式有：（）拋光，（）拋光，（）拋光等。
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比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？
題型：?jiǎn)柎痤}
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。
題型：?jiǎn)柎痤}
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
題型：?jiǎn)柎痤}
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型：?jiǎn)柎痤}
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：?jiǎn)柎痤}
MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型：多項(xiàng)選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
題型：?jiǎn)柎痤}
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型：?jiǎn)柎痤}