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把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。