單項(xiàng)選擇題絕緣門極晶體管的文字符號(hào)是（）
A.GTO
B.GTR
C.P-MOSFET
D.IGBT
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1.單項(xiàng)選擇題按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度，晶閘管屬于（）
A.不可控器件
B.半控器件
C.全控器件
D.復(fù)合型器件
2.單項(xiàng)選擇題功率場效應(yīng)管的文字符號(hào)是（）
A.GTO
B.GTR
C.P-MOSFET
D.IGBT
3.單項(xiàng)選擇題按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度，電力二極管屬于（）器件。
A.不可控
B.半控
C.全控
D.復(fù)合型
4.單項(xiàng)選擇題大功率晶體管的文字符號(hào)是（）
A.GTO
B.GTR
C.P-MOSFET
D.IGBT
5.單項(xiàng)選擇題下列兩種電力電子器件中均屬于全控型器件的是（）
A.GTO和SCR
B.GTR和電力二極管
C.GTR和SCR
D.GTO和GTR
最新試題
反相比例運(yùn)算，放大倍數(shù)為5，輸入0.2v，輸出為（）v。
題型：單項(xiàng)選擇題
如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí)，74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的，計(jì)數(shù)長度為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
交流放大電路接入負(fù)載電阻后，對靜態(tài)工作狀態(tài)無影響。
題型：判斷題
下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器（）
題型：單項(xiàng)選擇題
將任意一個(gè)無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里，它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài)，那么也就是說明，這個(gè)電路具有自起功能。
題型：判斷題
3進(jìn)制的加法計(jì)數(shù)器，需要（）塊JK觸發(fā)器。
題型：單項(xiàng)選擇題
使用中若IC大于ICM，即使晶體管不損壞，β也會(huì)下降。
題型：判斷題
二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用，分頻的規(guī)律表現(xiàn)為：3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)（）分頻。
題型：單項(xiàng)選擇題
本征半導(dǎo)體是（），導(dǎo)電能力弱。
題型：單項(xiàng)選擇題