A、射源至試件距離越遠(yuǎn),影像放大得越大
B、射源至試件的距離與試件至底片距離之比越大,影像放大得越大
C、射源至試件的距離與試件至底片距離之比越小,影像放大得越大
D、射源至試件的距離與影像放大無關(guān)
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你可能感興趣的試題
A、射源至底片的距離
B、曝光時(shí)間
C、KV
D、mA
A、第一次較易檢出缺陷
B、第二次較易檢出缺陷
C、對(duì)于缺陷檢出力無法比較
D、以上都對(duì)
A、8.5英寸底片三張,雙壁照相單壁看片
B、8.5英寸底片兩張,雙壁照相雙壁看片
C、8.5英寸底片四張,雙壁照相單壁看片
D、12英寸底片三張,雙壁照相單壁看片
A、橢圓投影,至少相隔90°兩次照像,雙壁看片
B、橢圓投影,至少相隔180°兩次照像,雙壁看片
C、一次橢圓投影,雙壁看片
D、以上都可以
A、將會(huì)產(chǎn)生相同強(qiáng)度與品質(zhì)的輻射線
B、將會(huì)產(chǎn)生相同強(qiáng)度、品質(zhì)不同的輻射線
C、將會(huì)產(chǎn)生不同強(qiáng)度、相同品質(zhì)的輻射線
D、輻射強(qiáng)度與品質(zhì)均不同
最新試題
射線照像底片產(chǎn)生黃色灰霧,其原因是()
下列關(guān)于IIW試塊的說法,正確的是()
小口徑管道射線探傷時(shí)常采用()方法透照。
與直探頭相比,雙晶探頭()
采用X射線機(jī)對(duì)某一工件探傷時(shí),焦距為1m,曝光時(shí)間為6min,其余條件均不變,曝光時(shí)間改為3min時(shí)透照焦距應(yīng)改為()
關(guān)于圓晶片輻射的超聲波,下列說法正確的是()(S為傳播距離,N為近場(chǎng)長(zhǎng)度)。
檢查厚焊縫中沿熔合線方向的平面狀缺陷應(yīng)采用()
化學(xué)清洗用于去除工件表面的()
關(guān)于聲波的指向性和指向角,正確的是()
著色滲透劑應(yīng)具有()性能。