單項(xiàng)選擇題假定同位素放射源發(fā)射單一波長(zhǎng)的γ射線,某時(shí)在離射源2米處測(cè)得其γ射線照射率,14天后同一時(shí)刻,再在離該源1.92米處測(cè)出其照射率與前同,則該源的半衰期為()
A、118天
B、33天
C、75天
D、50天
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1.單項(xiàng)選擇題銥192對(duì)鉛的半價(jià)層為()
A、2.4cm
B、0.85cm
C、0.4cm
D、1.2mm
2.單項(xiàng)選擇題銥192的平均能量為0.35MeV,若出廠5個(gè)月后,其平均能量為()
A、不變
B、原有的一半
C、原有的三分之一
D、原有的四分之一
3.單項(xiàng)選擇題某日確定的銥192γ源的強(qiáng)度為40Ci,經(jīng)過(guò)100天后,其強(qiáng)度約為多少?()
A、20Ci
B、16Ci
C、5Ci
D、30Ci
4.單項(xiàng)選擇題已知銥192的半衰期為75天,10居里的射源在37.5天后大約剩下多少居里?()
A、5
B、6
C、7
D、8
5.單項(xiàng)選擇題銥192出廠時(shí)的放射性強(qiáng)度為100居里,經(jīng)過(guò)450天后其放射性強(qiáng)度為多少居里?()
A、25
B、12.5
C、3.2
D、1.6
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最新試題
下列磁化方法中容易計(jì)算工件表面磁場(chǎng)強(qiáng)度的是()
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