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材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

在晶體材料中，對(duì)于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。