單項(xiàng)選擇題信道抗衰落技術(shù)不包括以下的（）

A.擴(kuò)頻
B.Rake
C.交織
D.功控


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你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題RAB建立成功率的統(tǒng)計(jì)不包括下列的（）

A.PS域RAB建立成功率
B.CS域RAB建立成功率
C.分速率的RAB建立成功率
D.分時(shí)段的RAB建立成功率

2.單項(xiàng)選擇題呼叫接通的成功率統(tǒng)計(jì)不包括下列的（）過(guò)程

A.登記
B.尋呼
C.RRC連接建立
D.RAB指配建立

3.單項(xiàng)選擇題不是TD－HSDPA關(guān)鍵技術(shù)的是（）

A.HARQ
B.AMC
C.CQI信道反饋
D.功率控制

4.單項(xiàng)選擇題下面關(guān)于硬切換、軟切換、接力切換說(shuō)法錯(cuò)誤的是？（）

A.軟切換的切換成功率較高，但資源利用率低
B.硬切換過(guò)程切換成功率較低，但資源利用率高
C.接力切換具有高資源利用率、高切換成功率的優(yōu)勢(shì)
D.目前TD系統(tǒng)用到的是軟切換和接力切換

5.單項(xiàng)選擇題在23G互操作參數(shù)配置里，下面哪個(gè)參數(shù)是對(duì)單個(gè)2G鄰小區(qū)起作用的？（）

A.Hysteresis（3a時(shí)間的遲滯值）
B.TimeToTrigger（異系統(tǒng)切換時(shí)間時(shí)間遲滯）
C.ThresholdOthSys（異RAT頻率質(zhì)量門限）
D.CellIndivOffset（異系統(tǒng)小區(qū)個(gè)體偏移）

最新試題

UMTS系統(tǒng)的的測(cè)量控制消息在UE處于哪種狀態(tài)下才能發(fā)起（）.

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

TD-SCDMA系統(tǒng)共定義了4種時(shí)隙類型，它們是用作上下行同步的（）、UpPTS、用來(lái)做傳播時(shí)延保護(hù)的GP和TS0~TS6等業(yè)務(wù)時(shí)隙。

題型：填空題

UMTS系統(tǒng)由CN、UTRAN和UE三部分構(gòu)成，其中UE和UTRAN的接口為：Uu接口，UTRAN內(nèi)NodeB和RNC的接口為Iub接口，RNC與CN的接口為Iu接口，RNC之間的接口為（）接口。

題型：填空題

UE的測(cè)量報(bào)告是在那個(gè)信道上傳送（）.

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

TD-SCDMANodeB的最簡(jiǎn)配置中，下面哪些單板是不需要的（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

終端是以（）來(lái)識(shí)別不同的TD-SCDMA小區(qū)的.

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

TD-SCDMA的每個(gè)業(yè)務(wù)時(shí)隙中攜帶了三種物理層控制信息，其中用于同步調(diào)整的是：SS，用于功率控制的是：TPC，用于指示傳輸格式的是（）。

題型：填空題

TD－SCDMA中的擴(kuò)頻是通過(guò)（）碼實(shí)現(xiàn)。

題型：填空題

MSI結(jié)合（IMSIattach）和普通位置更新的區(qū)別在于（）.

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

無(wú)線環(huán)境中的衰耗包括慢衰落、（）、路徑損耗等，其中快衰落服從瑞利分布。

題型：填空題