A.兩塊互為備份的主控板占用槽位號19，20。
B.兩塊互為備份的交換網(wǎng)板占用槽位號19，20
C.主控板和交換網(wǎng)板集成在一塊單板上，占用槽位號17，18。
D.主控板和交換網(wǎng)板集成在一塊單板上，占用槽位號19，20。
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A.vt0
B.LOG
C.WELL
D.Telnet
A.使能接口對802.1Q優(yōu)先級的支持。
B.使能接口對802.1P優(yōu)先級的支持。
C.在802.1Q中表示是否支持TAG的優(yōu)先級功能。
D.在802.1P中表示是否支持VLANTAG的最后3bit表示的優(yōu)先級。
A.跟蹤狀態(tài)（lockeD.
B.自由運(yùn)行狀態(tài)（free-run）
C.快捕狀態(tài)（fast-lock）
D.保持狀態(tài)（holD.
A.1
B.2
C.3
D.4
A.只支持2.048MHz的時鐘輸入
B.只支持2.048Mbps的時鐘輸入
C.以上兩種都支持
D.以上兩種都不支持
最新試題
ITU-T中，當(dāng)光信道間隔為0.8nm的系統(tǒng)，中心波長的偏差不能大于：（）
在Buck電路中，不能起到減小紋波作用的措施是（）。
以下哪種信號異常能用邏輯分析儀測試？（）
一空氣平行板電容器，兩級間距為d，充電后板間電壓為u。然后將電源斷開，在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>
晶體管能夠放大的外部條件是（）。
DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1。（）
光交叉處理（）的調(diào)度，通常與所承載的業(yè)務(wù)類型（）。（）處理電信號的調(diào)度，與所承載的業(yè)務(wù)類型（）
某電路，對100KHz以下低頻信號干擾敏感，為減少干擾，應(yīng)采用（）濾波器。
關(guān)于SRAM和DRAM，下面說法正確的是（）。
（）不是導(dǎo)致四波混頻的主要原因。