A.第一次底波
B.第二次底波
C.多次底波
D.缺陷的水平距離
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A.28°42'
B.49°24'
C.55°18'
D.以上都不對(duì)
A.越大
B.越小
C.不變
D.以上都不對(duì)
A.頻率增加、晶片直徑減小而減小
B.頻率或直徑減小而增大
C.頻率或直徑減小而減小
D.頻率增加、晶片直徑減小而增大
A.分辨力
B.性質(zhì)
C.趨向
D.當(dāng)量
A.靈敏度降低
B.全透射
C.全反射
D.波型轉(zhuǎn)換
最新試題
滲透檢測(cè)工藝對(duì)顯像操作的要求有()。
磁場(chǎng)信號(hào)測(cè)量中可采用()方法。
對(duì)漏磁檢測(cè)原理描述正確的有()。
采用橫波斜探頭在圓柱曲面外圓進(jìn)行周向檢測(cè)時(shí),缺陷定位說(shuō)法正確的有()。
無(wú)損檢測(cè)設(shè)備、材料采購(gòu)驗(yàn)收內(nèi)容包括()驗(yàn)收。
顯影斑紋呈黑色條狀或?qū)拵?,在整張底片范圍出現(xiàn),其產(chǎn)生的原因是()。
在沒(méi)有外加磁場(chǎng)作用時(shí),鐵磁性材料內(nèi)出現(xiàn)()現(xiàn)象。
與一次射線相比,散射線的()。
用雙晶探頭檢測(cè)時(shí),為增加缺陷顯現(xiàn)次數(shù)和反射幅度,檢測(cè)細(xì)長(zhǎng)缺陷應(yīng)使探頭()。
滲透檢測(cè)時(shí),滲入的滲透液有一些被截留在缺陷內(nèi),將受檢部位置于合適的光源(發(fā)光強(qiáng)度足夠)下檢查時(shí),下列說(shuō)法正確的有()。