A.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度相差較大時，反向飽和電流密度主要由摻雜濃度較低的一側(cè)貢獻。
B.在一定溫度下，與Si材料相比，GaAs具有較小的有效態(tài)密度和較大的禁帶寬度，所以GaAs可獲得更低的反向飽和電流密度。
C.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度越高，越有利于降低反向飽和電流密度。
D.與半導體中的載流子壽命、擴散長度、導帶價帶的有效態(tài)密度、摻雜濃度以及禁帶寬度有關(guān)。賦予他們恰當值可以得到較大的VOC。
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B.17.6℅
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B.225μs
C.1.5μs
D.20μs
A.5.673m
B.4.259m
C.1.414m
D.3.011m
A.光源輻照度為1000W/m
B.測試溫度為25℃
C.AM1.0地面太陽光譜輻照度分布
D.AM1.5地面太陽光譜輻照度分布
A、11h
B、12h
C、11.95h
D、無法確定
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太陽內(nèi)部最里層是（）。
可以單獨作為電源使用的太陽能電池最小單元是（）
三相逆變器按照直流電源的性質(zhì)不同分為三相電壓型逆變器和三相電流型逆變器。
通常在建筑物之上建設（）
在太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，為了延長蓄電池的壽命，利用（）對蓄電池過放電、過充電、深度充電、負載過流和反充電等情況加以限制。
鉛酸蓄電池單體（格）的電動勢為（）
半導體中的價電子必須獲得一定的能量被激發(fā)到（）才具有導電能力。
光伏發(fā)電系統(tǒng)中能夠起到延長蓄電池組使用壽命的設備是（）
太陽能電池方陣最佳傾斜角度隨當?shù)鼐暥鹊脑黾佣ǎ?/p>
（）的導帶和價帶重疊在一起，不存在禁帶，在一切條件下具有良好的導電性。