單項(xiàng)選擇題混凝土小型空心砌塊試驗(yàn)方法（GB/T4111-1997）標(biāo)準(zhǔn)中含水率、吸水率和相對(duì)含水率試驗(yàn)中相對(duì)含水率精確至（）。
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
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1.單項(xiàng)選擇題混凝土小型空心砌塊試驗(yàn)方法（GB/T4111-1997）標(biāo)準(zhǔn)中含水率、吸水率和相對(duì)含水率試驗(yàn)中吸水率精確至（）。
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
2.單項(xiàng)選擇題混凝土小型空心砌塊試驗(yàn)方法（GB/T4111-1997）標(biāo)準(zhǔn)中含水率、吸水率和相對(duì)含水率試驗(yàn)中含水率精確至（）。
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
3.單項(xiàng)選擇題混凝土小型空心砌塊試驗(yàn)方法（GB/T4111-1997）標(biāo)準(zhǔn)中塊體密度試驗(yàn)中空心率精確至（）。
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
4.單項(xiàng)選擇題混凝土小型空心砌塊試驗(yàn)方法（GB/T4111-1997）標(biāo)準(zhǔn)中塊體密度試驗(yàn)中質(zhì)量精確至（）。
A、0.01kg
B、0.05kg
C、0.005kg
D、0.001kg
5.單項(xiàng)選擇題混凝土小型空心砌塊試驗(yàn)方法（GB/T4111-1997）標(biāo)準(zhǔn)抗折強(qiáng)度試件加荷速度為（）。
A、250N/s
B、100N/s
C、300kN/s
D、1000N/s
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題