A、MU1.5
B、MU2.5
C、MU10.0
D、MU15.0
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A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見(jiàn)證檢驗(yàn)
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、密度和強(qiáng)度
D、吸水率和相對(duì)含水率
A、新產(chǎn)品投產(chǎn)或產(chǎn)品定型鑒定時(shí)；
B、砌塊的原材料、配合比及生產(chǎn)工藝發(fā)生較大變化時(shí)；
C、正常生產(chǎn)六個(gè)月時(shí)（干燥收縮率、碳化系數(shù)和抗凍性每年一次）
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個(gè)月以上恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)
A、防雨
B、防潮
C、排水
D、防曬
A、承重
B、非承重
C、防火墻
D、防輻射墻
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
可用作硅片的研磨材料是（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。