A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見(jiàn)證檢驗(yàn)
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A、尺寸偏差和外觀質(zhì)量
B、顏色
C、抗壓強(qiáng)度和抗折強(qiáng)度
D、抗凍性
A、產(chǎn)品分類(lèi)
B、技術(shù)要求
C、試驗(yàn)方法
D、檢驗(yàn)規(guī)則
A、優(yōu)等品
B、一等品
C、二等品
D、合格品
A、MU3.5
B、MU5.0
C、MU20
D、MU25
A、NHB.MU7.5AGB8239
B、NHB.MU3.5BGB8239
C、NHB.MU2.5CGB8239
D、NHB.MU7.5DGB8239
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
PN結(jié)的基本特性是（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）