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半導(dǎo)體受光照，產(chǎn)生電子－空穴對(duì)，在結(jié)電場(chǎng)作用下，空穴流向P區(qū)，電子流向N區(qū)，在結(jié)區(qū)兩邊產(chǎn)生勢(shì)壘的效應(yīng)。
最新試題
光電探測(cè)器的選擇要點(diǎn)包括（）。
以下效應(yīng)可用于普朗克常量測(cè)量的是（）。
電光效應(yīng)反映介質(zhì)折射率與電場(chǎng)強(qiáng)度可能呈（）。
激光衍射測(cè)量技術(shù)的基本原理是利用激光照明下的菲涅爾衍射效應(yīng)。
光電檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)要求包括（）。
