填空題晶圓的英文是（），其常用的材料是（）和（）。
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利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？
題型：問答題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
題型：多項選擇題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項選擇題
MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型：多項選擇題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：問答題
由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
題型：單項選擇題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項選擇題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。
題型：問答題