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填空題

制備半導(dǎo)體級硅的過程：1、（）；2、（）；3、（）。

答案： 制備工業(yè)硅；生長硅單晶；提純
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填空題

晶圓制備中的整型處理包括（）、（）和（）。
答案： 去掉兩端；徑向研磨；硅片定位邊和定位槽
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影響CZ直拉法的兩個(gè)主要參數(shù)是（）和（）。
答案： 拉伸速率；晶體旋轉(zhuǎn)速率
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