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集成電路的發(fā)展時代分為()、中規(guī)模集成電路MSI、()、超大規(guī)模集成電路VLSI、()。
答案:
小規(guī)模集成電路SSI;大規(guī)模集成電路LSI;甚大規(guī)模集成電路ULSI
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芯片硅片制造廠可以分為6個獨立的生產區(qū):擴散區(qū)、()、刻蝕區(qū)、()、()和拋光區(qū)。
答案:
光刻區(qū);注入區(qū);薄膜區(qū)
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熱擴散利用()驅動雜質穿過硅的晶體結構,這種方法受到()和()的影響。
答案:
高溫;時間;溫度
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