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晶體管的源漏區(qū)的摻雜采用自對準技術,一次摻雜成功。
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在晶片制造中,有兩種方法可以向硅片中引入雜質元素,即熱擴散和離子注入。
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高密度等離子體刻蝕機是為亞0.25微米圖形尺寸而開發(fā)的最重要的干法刻蝕系統(tǒng)。
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