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多晶硅柵的寬度通常是整個(gè)硅片上最關(guān)鍵的CD線寬。
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側(cè)墻用來(lái)環(huán)繞多晶硅柵,防止更大劑量的源漏注入過(guò)于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。
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集成電路是由Kilby和Noyce兩人于1959年分別發(fā)明,并共享集成電路的專利。
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