單項選擇題滾動軸承鋼GCr15的最終熱處理應該是（）
A、淬火+低溫回火
B、滲碳+淬火+低溫回火
C、淬火+中溫回火
D、氮化+淬火+低溫回火
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1.單項選擇題過共析鋼的退火組織是（）
A、F+Fe3CIII
B、F+P
C、P+Fe3CII
D、P+Fe3CIII
2.單項選擇題為降低低碳冷軋鋼板的硬度，宜采用下列哪種工藝（）
A、完全退火
B、球化退火
C、再結(jié)晶退火
D、等溫退火
3.單項選擇題對球墨鑄鐵進行高溫正火的目的是為了得到下列哪種組織（）
A、F+G
B、F+P+G
C、P+G
D、Ld+G
4.單項選擇題下列合金中，哪種合金被稱為巴氏合金（）
A、鋁基軸承合金
B、鉛基軸承合金
C、銅基軸承合金
D、鋅基軸承合金
5.單項選擇題下列二元合金的恒溫轉(zhuǎn)變中，哪個是共析轉(zhuǎn)變（）
A、L+α→β
B、L→α+β
C、γ→α+β
D、α+β→γ
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題