A.烤瓷合金的熔點(diǎn)高于瓷粉熔點(diǎn)170~270℃ B.烤瓷合金的熱膨脹系數(shù)應(yīng)略大于瓷粉的熱膨脹系數(shù) C.瓷粉反復(fù)燒烤,熱膨脹系數(shù)會(huì)增大 D.金屬基底的厚度不能太薄 E.以上都不正確
A.2mm B.3mm C.5mm D.6mm E.8mm
A.橋體基底面可離開(kāi)牙槽嵴3mm以上 B.橋體基底面頰側(cè)接觸,舌側(cè)離開(kāi) C.橋體與牙槽嵴有接觸,但無(wú)壓迫 D.般底式接觸 E.橋體基底面舌側(cè)接觸,頰側(cè)離開(kāi)