單項(xiàng)選擇題若晶體管位于截止區(qū)，則電壓特性為（）
A.VEB順偏，VCB順偏
B.VEB順偏，VCB逆偏
C.VEB逆偏，VCB逆偏
D.VEB逆偏，VCB順偏
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1.單項(xiàng)選擇題NPN晶體管若欲工作在作用區(qū)（active-region），則（）
A.基射接面需順偏，基集接面需順偏
B.基射接面需順偏，基集接面需反偏
C.基射接面需反偏，基集接面需順偏
D.基射接面需反偏，基集接面需反偏
2.單項(xiàng)選擇題晶體管放電路之功率增益為AP，電壓增益為AV，電流增益為AI，三者之關(guān)系為AP=AV·AI，試問(wèn)下列何種電路何功率增益AP最高？（）
A.共基極放大電路
B.共射極放大電路
C.共集極放大電路
D.以上皆是
