問答題試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。
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從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
題型：多項選擇題
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項選擇題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
題型：多項選擇題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
版圖設(shè)計的基本前提是什么？
題型：問答題
編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：問答題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：問答題
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。
題型：問答題
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：問答題
什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？
題型：問答題