單項(xiàng)選擇題CR中IP的線性范圍是（）

A.1：102
B.1：103
C.1：104
D.1：105
E.1：106


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1.單項(xiàng)選擇題CR中EDR的中文全稱(chēng)是（）

A.影像記錄裝置
B.曝光數(shù)據(jù)識(shí)別器
C.薄膜晶體管陣列
D.光電倍增管
E.曝光指示器

2.單項(xiàng)選擇題IP曝光后，應(yīng)在（）內(nèi)進(jìn)行信號(hào)讀取

A.1分鐘
B.1小時(shí)
C.8小時(shí)
D.12小時(shí)
E.24小時(shí)

3.單項(xiàng)選擇題CR中光激勵(lì)發(fā)光的波長(zhǎng)為（）

A.100～200nm
B.390～490nm
C.290～390nm
D.200～300nm
E.190～290nm

4.單項(xiàng)選擇題要想將使用過(guò)的IP再次使用，必須（）

A.使用高能射線照射
B.使用電流消除殘存電荷
C.使用顯影液、定影液重寫(xiě)
D.使用清水沖洗
E.使用強(qiáng)光照射消除數(shù)據(jù)

5.單項(xiàng)選擇題CR成像時(shí)，將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)的是（）

A.IP
B.FPD
C.光電倍增管
D.攝像機(jī)
E.非晶硒

最新試題

間接DR中，位于FPD頂層的是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

CR的缺點(diǎn)有（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

透過(guò)被照體的X線照射到平板探測(cè)器的非晶硒層時(shí)，由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對(duì)，即一對(duì)正負(fù)電子。該電子-空穴對(duì)在外加偏置電壓形成的電場(chǎng)作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng)，負(fù)電子跑向偏壓的正極，正電子跑向偏壓的負(fù)極，于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比，這些電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元，即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管，在讀出該像素單元電信號(hào)時(shí)起開(kāi)關(guān)作用。在讀出控制信號(hào)的控制下，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，把存儲(chǔ)于電容內(nèi)的像素信號(hào)逐一按順序讀出、放大，送到A/D轉(zhuǎn)換器，從而將對(duì)應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號(hào)。關(guān)于該平板探測(cè)器的敘述錯(cuò)誤的是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

DR相比于CR（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

CR與DR系統(tǒng)應(yīng)用比較，相同點(diǎn)是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

數(shù)字化X射線成像系統(tǒng)的量子檢測(cè)率可達(dá)（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

直接平板探測(cè)器的線性度范圍是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

應(yīng)用非晶硒和薄膜晶體管陣列技術(shù)制成的探測(cè)器是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

關(guān)于平板探測(cè)器的敘述，錯(cuò)誤的是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

CR攝影和常規(guī)X線攝影不同之處在于（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題