A.高，高B.高，低C.低，高D.低，低
最新試題
當(dāng)VGS=0時(shí)，能夠?qū)ǖ腗OS管為（）
可以通過(guò)新增以下哪些類(lèi)型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
?CD放大器的性能特征有（）。?
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大，溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
