A.MOSFET的通態(tài)電阻具有負(fù)溫度系數(shù),不能并聯(lián)使用。
B.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對器件并聯(lián)時(shí)的均流有利。
C.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對器件并聯(lián)時(shí)的均流不利。
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A.一次擊穿
B.臨界飽和
C.反向截止
D.二次擊穿
A.晶閘管導(dǎo)通后,門極一旦無電流,則晶閘管就立即關(guān)斷。
B.晶閘管一旦導(dǎo)通,門極就失去控制作用。
C.晶閘管導(dǎo)通后,門極一旦加反向電壓,則晶閘管就立即關(guān)斷。
A.典型輸出特性分三個(gè)區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。
B.典型輸出特性分三個(gè)區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)。
C.典型輸出特性分三個(gè)區(qū):截止區(qū)、線性區(qū)和非飽和區(qū)。
A.90o
B.150o
C.180o
D.360o
A.限制逆變角的最小值,其目的是為了防止逆變時(shí)的輸出電流過小。
B.限制逆變角的最大值,其目的是為了防止逆變失敗而無法工作。
C.限制逆變角的最小值,其目的是為了防止輸出電壓太小而無法工作。
D.限制逆變角的最小值,其目的是為了防止逆變失敗。
最新試題
從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的,而且每來一個(gè)脈沖它就加一,很顯然它是一個(gè)()加法計(jì)數(shù)器。
3個(gè)JK觸發(fā)器,通過電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。
使用中若IC大于ICM,即使晶體管不損壞,β也會(huì)下降。
二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。
全加器的輸入信號(hào)是()
放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng),會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
集成運(yùn)放的反相輸入端,當(dāng)輸入信號(hào)(ui1)由此輸入時(shí),輸出信號(hào)(u0)與輸入ui1同相。
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中,硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載()
集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測量和自動(dòng)控制等方面
全加器的輸出信號(hào)是()