單項(xiàng)選擇題可晶閘管最外的P層和N層引出兩個(gè)極,分別為()。
A.陽極A和陰極K
B.陰極K和陽極A
C.陽極A和控制極G
D.控制極G和陽極A
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1.單項(xiàng)選擇題選擇雙向可控硅時(shí),其額定電流應(yīng)等于每個(gè)反并聯(lián)普通可控硅額定電流的()倍。
A.1
B.2
C.2.5
D.4
2.單項(xiàng)選擇題雙向可控硅完全可以代替兩個(gè)()的普通可控硅。
A.正串聯(lián)
B.正并聯(lián)
C.反串聯(lián)
D.反并聯(lián)
3.單項(xiàng)選擇題三極管中,硅管的結(jié)構(gòu)主要是()。
A.平面型
B.合金型
C.控制型
D.整流型
4.單項(xiàng)選擇題將正圓錐臺(tái)展開放樣時(shí),若制件尺寸大,畫放樣展開圖費(fèi)工、費(fèi)場地,或需要求得精確的展開圖形時(shí),所采用的展開方法是()。
A.放射線法
B.平行線法
C.計(jì)算法
D.球面法
5.單項(xiàng)選擇題將90°焊接彎頭展開放樣時(shí),應(yīng)盡量保證彎頭內(nèi)側(cè)焊縫之間的距離不要小于()mm。
A.50
B.60
C.75
D.80
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與鉚接相比,焊接可減輕結(jié)構(gòu)重量。
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