A、HVPS→電子裝置電源→水泵電源→真空泵電源→主電源→計(jì)算機(jī)；
B、主電源→電子裝置電源→水泵電源→真空泵電源→HVPS→計(jì)算機(jī)；
C、計(jì)算機(jī)→HVPS→電子裝置電源→水泵電源→真空泵電源→主電源；
D、HVPS→主電源→水泵電源→電子裝置電源→真空泵電源→計(jì)算機(jī)；
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A、Read instrumentstatus
B、Status Reporter
C、Intrgrated Profile
D、Reset Instrument
A、Fe273.04nm
B、N149.21nm
C、Fe187.63nm
D、無(wú)
A、Fe273.07nm
B、Mn293.31nm
C、Fe187.63nm
D、無(wú)
A、石英
B、氟化鈣
C、氟化鎂
D、普通玻璃
A、能量使氣態(tài)原子外層電子產(chǎn)生躍遷
B、基態(tài)原子對(duì)共振線(xiàn)的吸收
C、激發(fā)態(tài)原子產(chǎn)生的輻射
最新試題
ICP光譜干擾包括（）。
高純鐵中超低碳硫含量的紅外線(xiàn)吸收法測(cè)定過(guò)程中，陶瓷坩堝拆裝后即可立即使用，無(wú)需任何預(yù)處理。
ICP中等離子體環(huán)狀結(jié)構(gòu)形成的原因是（）。
ICP所用的氣動(dòng)霧化器有三種基本類(lèi)型，它們分別是（）。
X射線(xiàn)熒光光譜分析中，分光晶體對(duì)溫度的變化比較敏感，一般要求晶體室溫度變化在（）度內(nèi)。
紅外吸收碳硫儀中有高、低量程的紅外池，高量程的池體短，相應(yīng)紅外光程短。
紅外吸收法分析碳和硫時(shí)，可以用同一個(gè)紅外池來(lái)檢測(cè)。
ICP光譜儀中石英炬管清洗時(shí)用的酸是（）。
ICP-AES法中檢出限高低取決于（）。
在鋼鐵常見(jiàn)元素中，能夠使用脈沖加熱惰氣熔融熱導(dǎo)法測(cè)量的是（）。