單項選擇題下列氧化物中，加入過量會使玻璃的料性變短的是（）
A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O
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1.單項選擇題扎哈里阿森（Zachariasen）提出的形成氧化物玻璃的規(guī)則中，氧多面體應當相互（）
A.共角
B.共棱
C.共面
D.不相聯(lián)
2.單項選擇題能夠單獨形成玻璃網(wǎng)絡形成體的單鍵能一般大于（）
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
3.單項選擇題玻璃熔制的主要設備為（）。
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
4.單項選擇題一次風占燃燒所需要空氣量的（）。
A、15％－30％
B、20％―50％
C、40％―60％
D、50％―70％
5.單項選擇題水泥生料的主要原料不包括（）。
A、石灰石
B、煤
C、粘土
D、鐵粉
最新試題
PN結的基本特性是（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題