A.主設(shè)備側(cè)光模塊損壞
B.RRU側(cè)光模塊損壞
C.主設(shè)備側(cè)光模塊型號不匹配
D.RRU側(cè)光模塊型號不匹配
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.RRU掉電
B.Ir接口在BBU側(cè)的連接異常
C.Ir接口光纖損壞
D.Ir接口在RRU側(cè)的連接異常
A.增加EUTRA鄰小區(qū)
B.增加鄰UTRAN TDD小區(qū)
C.增加鄰UTRAN FDD小區(qū)
D.增加鄰小區(qū)關(guān)系
A.enb_110_20121221100500+8_cdl.lgz
B.ENB=110_2012-12-27-11-15-07.cfg
C.5116TDL_V3.10.00.13.DTZ
D.DTRRU_V3.10.00.13.DTZ
A.60
B.70
C.80
D.90
A.50
B.60
C.70
D.80
最新試題
PCI由（）和（）共同決定，共有（）個(gè)。
故障處理一般需經(jīng)過故障信息收集、（）、（）、故障排除、經(jīng)驗(yàn)總結(jié)五個(gè)階段；其中故障信息收集階段尤為重要，信息收集越全面，對問題的解決就越有利。
TD-LTE系統(tǒng)中，有Msg0消息的隨機(jī)接入過程是（）隨機(jī)接入過程。
由性能閾值產(chǎn)生的告警為（）告警。
對于節(jié)假日和重大活動網(wǎng)絡(luò)保障，應(yīng)提前對eNB運(yùn)行溫度進(jìn)行巡檢——單板運(yùn)行溫度應(yīng)不高于60攝氏度，超過70攝氏度的應(yīng)列為（）處理。
在算干擾余量時(shí)不用考慮系統(tǒng)負(fù)載。（）
TD-LTE系統(tǒng)中，進(jìn)行E-RAB建立時(shí)發(fā)起的RRC連接過程是（）過程。
性能指標(biāo)如果發(fā)生突變，或者明顯不合理，很有可能是設(shè)備或（）的問題。
PHICH的配置信息在（）承載。
TD-LTE系統(tǒng)中，響應(yīng)尋呼的Service Request流程是在RRC層的（）狀態(tài)下發(fā)起的。