單項選擇題攜帶式X射線設(shè)備常用（）。
A、倍壓電路
B、半波自整流電路
C、全波整流電路
D、以上都不是
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1.單項選擇題產(chǎn)生高能Χ射線的設(shè)備有（）。
A、靜電加速器
B、加旋加速器
C、直線加速器
D、以上都是
2.單項選擇題膠片特性曲線上的斜率定義為梯度G，也稱反差系數(shù)，它的數(shù)值為（）。
A、一個變數(shù)
B、一個常數(shù)
C、在某一黑度范圍是常數(shù)
D、以上都不是
3.單項選擇題底片反差是指（）。
A、底片上相鄰區(qū)域的曝光量差
B、底片上相鄰區(qū)域的黑度差
C、膠片特性曲線的r值
D、曝光曲線上的tgQ值
4.單項選擇題根據(jù)X射線膠片特性曲線的斜率可以知道膠片的（）特性。
A、靈敏度
B、曝光量
C、黑度
D、對比度
5.單項選擇題膠片特性曲線的橫坐標表示（）。
A、底片黑度
B、曝光量
C、曝光量的對數(shù)
D、底片黑度的對數(shù)
最新試題
渦流檢測線圈是在被檢測導電材料或零件表面及近表面激勵產(chǎn)生（）
題型：單項選擇題
波束截面中心聲能（），隨著與中心的距離的增大，聲能（）
題型：單項選擇題
對于圓盤形試件，常沿（）在圓面上進行掃查。
題型：單項選擇題
缺陷愈大，所遮擋的聲束也愈多，底波波高也就愈低，這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的（）
題型：單項選擇題
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束（），保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
題型：單項選擇題
在遠場區(qū)，當缺陷比聲束截面小時，缺陷波高與缺陷面積成（）
題型：單項選擇題
渦流檢測輔助裝置的試樣傳動裝置在（）材生產(chǎn)線上的應用最為廣泛。
題型：單項選擇題
掃查方式一般視試件的（）而定。
題型：單項選擇題
在聲束垂直試件表面時，所獲得的（）反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
題型：單項選擇題
缺陷檢測即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導率、磁導率、邊條效應、提離效應等。
題型：單項選擇題