單項選擇題下面不是制造非晶硅太陽電池常用的方法是（）。
A.輝光放電法
B.反應濺射法
C.化學氣相沉積法
D.電鍍法
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1.單項選擇題薄膜光伏電池制備工藝中，等離子增強化學氣相沉淀法的英文縮寫是（）
A.PVD
B.LPVCD
C.PEVCD
D.LVCD
2.單項選擇題電池片表面的鍍膜厚度是利用光學中的（）原理來減少反射。
A.相長干涉
B.折射
C.相消干涉
D.光的衍射
3.單項選擇題單晶硅光伏電池表面的絨面結(jié)構(gòu)呈（）。
A.三角形
B.圓形
C.倒金字塔形
D.正方形
4.單項選擇題刻蝕工藝會影響光伏池片電學參數(shù)中的（）。
A.開路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻
5.單項選擇題下列方程式中屬于二氧化硅刻蝕工藝的是（）。
A.4HF+Si=SiF4+2H2↑
B.CF4+SiO2——→SiF4+CO2↑
C.CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2↑
D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O
最新試題
uo與ui大小相等，相位相反，此時的電路稱為反相器，或倒相器。
題型：判斷題
平衡電阻是保證了集成運放兩個輸入端，靜態(tài)時外接電阻相等。
題型：判斷題
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中，硅穩(wěn)壓二極管應和負載（）
題型：單項選擇題
集成運放的反相輸入端，當輸入信號（ui1）由此輸入時，輸出信號（u0）與輸入ui1同相。
題型：判斷題
反相比例運算，放大倍數(shù)為5，輸入0.2v，輸出為（）v。
題型：單項選擇題
全加器的輸入信號是（）
題型：多項選擇題
3位二進制加法計數(shù)器的，計數(shù)長度為（）
題型：單項選擇題
3進制的加法計數(shù)器，需要（）塊JK觸發(fā)器。
題型：單項選擇題
4位二進制加法計數(shù)器的，計數(shù)長度為（）
題型：單項選擇題
清零端與脈沖信號的狀態(tài)無關(guān)，所以叫做同步清零。
題型：判斷題