單項(xiàng)選擇題用于太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體的材料三種形式中晶粒之間存在邊界的是（）。
A.多晶體
B.單晶體
C.非晶體
D.以上都是
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1.單項(xiàng)選擇題在硅片的拋光過(guò)程中，下列因素中不是影響粗拋的主要因素是（）。
A.粗拋液的濃度
B.粗拋時(shí)間
C.溶液的密度
D.溶液的溫度
2.單項(xiàng)選擇題常溫下本征半導(dǎo)體硅的禁帶寬度為（）eV。
A.1.12
B.2.14
C.1.42
D.0.92
3.單項(xiàng)選擇題按照能帶結(jié)構(gòu)理論，本征半導(dǎo)體的能帶可以分為（）個(gè)。
A.1
B.2
C.3
D.4
4.單項(xiàng)選擇題一般情況下，P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)（）N型半導(dǎo)體的能級(jí)。
A.高于
B.小于
C.等于
D.無(wú)法確定
5.單項(xiàng)選擇題作為半導(dǎo)體最基本材料的硅，其原子最外層有14個(gè)電子，其各層分布的數(shù)目分別是（）。
A.1，9，4
B.2，8，4
C.3，7，4
D.2，7，5
最新試題
二極管外接正向電壓，P區(qū)應(yīng)接電源（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
清零端與脈沖信號(hào)的狀態(tài)無(wú)關(guān)，所以叫做同步清零。
題型：判斷題
反相比例運(yùn)算，放大倍數(shù)為5，輸入0.2v，輸出為（）v。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng)，會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
題型：判斷題
3個(gè)JK觸發(fā)器，通過(guò)電路設(shè)計(jì)，可以接成（）進(jìn)制以內(nèi)的，任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
全加器的輸出信號(hào)是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
現(xiàn)有58個(gè)信息等待用二進(jìn)制代碼進(jìn)行編碼，需要用8位二進(jìn)制代碼來(lái)表示。
題型：判斷題
使用中若IC大于ICM，即使晶體管不損壞，β也會(huì)下降。
題型：判斷題
集成運(yùn)放在信號(hào)運(yùn)算中的應(yīng)用電路有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
9個(gè)JK觸發(fā)器，通過(guò)電路設(shè)計(jì)，可以接成（）進(jìn)制以內(nèi)的，任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題