多項選擇題功率MOSFET對驅動電路的要求是（）。

A.驅動信號的前后沿陡峭
B.驅動信號的電壓應高于開啟電壓
C.信號電壓應低于柵源擊穿電壓
D.截止時應加小于柵源擊穿電壓的電壓


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1.多項選擇題LEM模塊是快速過電流保護的理想器件，具有（）優(yōu)點。

A.直接測量原邊大電流，反應快
B.可測量交流、直流和脈沖電流
C.與被測線路隔離
D.響應速度快

2.多項選擇題功率晶體管的浪涌電壓吸收有（）形式。

A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路

3.多項選擇題以下集成電路（）是GTR的專用集成電路。

A.HL201A/HL202A
B.IR2110、IR2115、IR2130
C.EXB35N系列
D.FA5310、FA5311

4.多項選擇題大功率晶體管GTR過電流保護有（）方式。

A.狀態(tài)識別保護法
B.RCD吸收保護法
C.LEM模塊保護法
D.橋臂互鎖保護法

5.多項選擇題關于二次擊穿，以下說法正確的是（）。

A.大功率晶體管GTR不會發(fā)生二次擊穿
B.功率MOSFET不會發(fā)生二次擊穿
C.二次擊穿可能使器件永久性損壞
D.二次擊穿的過程很短暫