A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
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A、位錯(cuò)
B、螺旋位錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、層錯(cuò)
A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞
A、單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
B、單晶生長(zhǎng)→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
C、單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測(cè)→打包
D、單晶生長(zhǎng)→整形→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→切片→晶片研磨及磨邊→打包
A、3
B、5
C、4
D、2
A、1234
B、123
C、1456
D、4567
最新試題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；