單項(xiàng)選擇題數(shù)字系統(tǒng)中，降低尖峰電流影響，所采取的措施是（）。
A.接入關(guān)門電阻
B.接入開(kāi)門電阻
C.接入濾波電容
D.降低供電電壓
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題門電路輸人端對(duì)地所接電阻R≥RON時(shí)．相當(dāng)于此端（）。
A.接邏輯“1”
B.接邏輯“0”
C.接2.4V電壓
D.邏輯不定
2.單項(xiàng)選擇題門電路輸人端對(duì)地所接電阻R≤ROF時(shí)．相當(dāng)于此端（）。
A.接邏輯“1”
B.接邏輯“0”
C.接2.4V電壓
D.邏輯不定
3.單項(xiàng)選擇題TTL門電路的開(kāi)門電阻的典型值為（）。
A.3kΩ
B.2kΩ
C.700Ω
D.300Ω
4.單項(xiàng)選擇題用三態(tài)門可以實(shí)現(xiàn)“總線”連接，但其“使能”控制端應(yīng)為（）。
A.固定接0
B.固定接1
C.同時(shí)使能
D.分時(shí)使能
5.單項(xiàng)選擇題TTL電路中，能實(shí)現(xiàn)“線與”邏輯（）。
A.異或門
B.OC門
C.TS門
D.與或非門
最新試題
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D，則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少？
題型：?jiǎn)柎痤}
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù)，需要增加若干個(gè)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電，（）中的信息能夠保持不變。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題