A.接高于2V的電壓
B.接另一TTL電路的輸出高電平
C.接地
D.懸空
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A.接地
B.接低于0.8V的電壓
C.接另一個(gè)TTL電路的輸出
D.懸空
A.放大區(qū)
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.發(fā)射區(qū)
A.電源
B.負(fù)載
C.驅(qū)動(dòng)電路
D.下拉電阻
A.飽和區(qū)
B.轉(zhuǎn)折區(qū)
C.線性區(qū)
D.截止區(qū)
A.輸入級(jí)
B.放大級(jí)
C.中間級(jí)
D.輸出級(jí)
最新試題
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請(qǐng)說(shuō)明理由。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門,可以擴(kuò)展得到1個(gè)()線譯碼器。
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)方案是最佳嗎?簡(jiǎn)述理由。
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱為()觸發(fā)器。
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。