A.輸入級(jí)
B.輸出級(jí)
C.放大級(jí)
D.中間級(jí)
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A.包圍圈盡可能的大,個(gè)數(shù)盡可能的少
B.包圍圈所含小方格數(shù)為2n(n=1、2、…)
C.允許重復(fù)圈1,但每個(gè)包圍圈至少應(yīng)有一個(gè)未被其他圈包圍過(guò)的最小項(xiàng)。
D.單獨(dú)包圍孤立的最下項(xiàng)。
A.與(·)換成或(+),或(+)換成與(·)
B.原變量變換為反變量,反變量變換為原變量
C.0換成1,1換成0
D.化成最簡(jiǎn)與或表達(dá)式
A.字符編碼
B.5421BCD碼
C.8421BCD碼
D.余3BCD碼
A.二進(jìn)制
B.BCD碼
C.十進(jìn)制
D.十六進(jìn)制
A.器件的狀態(tài)
B.電平的高低
C.脈沖的有無(wú)
D.數(shù)量的大小
最新試題
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
TTL與非門(mén)輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
TTL與非門(mén)閾值電壓UT的典型值是()
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)()。
兩個(gè)與非門(mén)構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體?是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體?簡(jiǎn)述它們的作用。