A.SISD
B.SIMD
C.MISD
D.MIMD
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用作存儲器的芯片有不同的類型?？呻S機(jī)讀寫，且只要不斷電則其中存儲的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫，但即使在不斷電的情況下其存儲信息也要定時刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為（3）；通過紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過電信號可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級別刪除操作的是（5）。
空白（5）處應(yīng)選擇（）
A.EEPROM
B.FlashMemory
C.EPROM
D.VirtualMemory
用作存儲器的芯片有不同的類型?？呻S機(jī)讀寫，且只要不斷電則其中存儲的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫，但即使在不斷電的情況下其存儲信息也要定時刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為（3）；通過紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過電信號可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級別刪除操作的是（5）。
空白（4）處應(yīng)選擇（）
A.EPROM
B.PROM
C.ROM
D.CDROM
用作存儲器的芯片有不同的類型?？呻S機(jī)讀寫，且只要不斷電則其中存儲的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫，但即使在不斷電的情況下其存儲信息也要定時刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為（3）；通過紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過電信號可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級別刪除操作的是（5）。
空白（3）處應(yīng)選擇（）
A.EPROM
B.PROM
C.ROM
D.CDROM
用作存儲器的芯片有不同的類型。可隨機(jī)讀寫，且只要不斷電則其中存儲的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫，但即使在不斷電的情況下其存儲信息也要定時刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為（3）；通過紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過電信號可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級別刪除操作的是（5）。
空白（2）處應(yīng)選擇（）
A.RAM
B.VRAM
C.DRAM
D.SRAM
用作存儲器的芯片有不同的類型?？呻S機(jī)讀寫，且只要不斷電則其中存儲的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫，但即使在不斷電的情況下其存儲信息也要定時刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為（3）；通過紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過電信號可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級別刪除操作的是（5）。
空白（1）處應(yīng)選擇（）
A.RAM
B.VRAM
C.DRAM
D.SRAM
最新試題
國標(biāo)碼用（）字節(jié)表示一個漢字，如一個國標(biāo)碼為3274，那么它對應(yīng)的機(jī)內(nèi)碼為（）。
計算機(jī)容錯技術(shù)是指采用冗余方法消除故障影響，一般有（）和（）兩種方法。
空白（2）處應(yīng)選擇（）
相聯(lián)存儲器是按（）訪問的存儲器，它一般應(yīng)用在（）中。
簡述多級存儲體系結(jié)構(gòu)的原理。
假設(shè)某計算機(jī)中用一個字節(jié)表示一個數(shù)，那么數(shù)-117的原碼是（）反碼是（）補碼是（），-117與小于等于（）的數(shù)相加會產(chǎn)生溢出。
簡述數(shù)字簽名的主要過程。
對于十進(jìn)制數(shù)字143，它的二進(jìn)制表示是（），八進(jìn)制表示是（），十六進(jìn)制表示是（），BCD碼是（）；十六進(jìn)制數(shù)3CF對應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)字是（）。
計算機(jī)硬件的典型結(jié)構(gòu)主要包括單總線結(jié)構(gòu)、雙總線結(jié)構(gòu)和采用（）的大型系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。
空白（1）處應(yīng)選擇（）