A．自由電子、空穴、位于晶格上的離子
B．無論P型還是N型半導體，自由電子、空穴都是導電介質(zhì)
C．對于P型半導體，空穴是唯一的導電介質(zhì)
D．對于N型半導體，空穴是唯一的導電介質(zhì)
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A.環(huán)境溫度降低
B.摻雜金屬元素
C.增大環(huán)境光照強度
D.摻雜非金屬元素
A．升高／升高
B．降低／降低
C．升高／降低
D．降低／升高
A．只存在一種載流子：自由電子
B．在二極管中，N型半導體一側(cè)接出引線后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，分散三價元素，可形成N型半導體
D．在PNP型的晶體管中，基區(qū)正是由N型半導體構(gòu)成
A．空穴是多數(shù)載流子
B．在二極管中，P型半導體一側(cè)接出引線后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，摻雜五價元素，可形成P型半導體
D．在NPN型的晶體管中，基區(qū)正是由P型半導體構(gòu)成
最新試題
PNP型三極管處于放大狀態(tài)時，三個極的電位關(guān)系為（）。
可控硅關(guān)斷的條件是（）。
晶體管具有電流放大能力，而放大能源來自地放大電路中的（）。
在三極管基本放大電路中，為了獲得最大的不失真電壓放大，應該將靜態(tài)工作點設(shè)置在三極管的（）。
關(guān)于集成運放的下列說法，正確的是（）。
二極管、三極管、晶閘管分別有（）個PN結(jié)，分別有（）個極。
在運算放大器中，輸出電壓U0與輸入電壓Ui的關(guān)系式為，其中“－”號表示（）。
設(shè)v+、v－分別是理想運放的同相輸入端、反相輸入端的電位；設(shè)i+、i－分別是該兩端的輸入電流。若運放工作于線性區(qū)，則（）。
晶閘管導通后控制極電源線脫落，將產(chǎn)生的現(xiàn)象是（）。
關(guān)于晶閘管應用的下列說法錯誤的是（）。