是指用金屬薄膜填充通孔，以便在兩金屬層之間形成電連接。
是指穿過(guò)各種介質(zhì)從某一金屬到毗鄰的另一金屬層形成電通路的開(kāi)口。
是指芯片內(nèi)的器件與第一層金屬之間在硅表面的連接。
