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什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？