單項(xiàng)選擇題
如圖所示的電路為N信道空乏型MOSFET的偏壓電路，設(shè)VDD=+24V，RD=1.2kΩ，RG=10MΩ，MOSFET的IDSS=9mA，VP=－4.5V，則直流偏壓值為何？（）
A.VGS=4.5V，ID=9mA
B.VGS=－4.5V，ID=4.5mA
C.VGS=0V，VGS=18.6V
D.VGS=0V，VDS=4.5V
E.VGS=0V，VDS=13.2V
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1.單項(xiàng)選擇題
如圖所示，晶體管之β=40，使晶體管飽和之最小IB為？（）
A.2mA
B.1mA
C.0.5mA
D.0.1mA
2.單項(xiàng)選擇題制作晶體管時(shí)，各接腳區(qū)的摻雜濃度為（）
A.E>B>C
B.B>E>C
C.E>C>B
D.C>E>B
