A、檢查電源、電壓、頻率、相位等
B、檢查設(shè)備安全聯(lián)鎖系統(tǒng)是否安全
C、檢查設(shè)備機(jī)械運(yùn)轉(zhuǎn)情況是否正常
D、檢查設(shè)備源進(jìn)出情況是否正常
E、檢查射野、劑量及各種指示是否正常

A、線(xiàn)性—二次模型（LQ）是以DNA雙鍵斷裂造成細(xì)胞死亡為理論依據(jù)的 
B、線(xiàn)性—二次模型（LQ）是以N0.24來(lái)描敘不同組織的修復(fù)功能 
C、線(xiàn)性—二次模型（LQ）是建立在上皮喝皮下組織放射耐受型的基礎(chǔ)上，主要適用與5次到30次分割照射范圍 
D、EA/B比值一般受鎖選擇的生物效應(yīng)水平的影響，因而不能反應(yīng)早反應(yīng)組織喝晚期反應(yīng)組織以及腫瘤對(duì)劑量反應(yīng)的差別 
E、線(xiàn)性—二次模型（LQ）是細(xì)胞模型