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問答題
【簡答題】采用提拉法（CZ法，切克勞斯基法）和區(qū)熔法制備的硅片，哪種方法質(zhì)量更高，為什么？那么目前8英寸以上的硅片，經(jīng)常選擇哪種方式制備，為什么？
答案：
區(qū)熔法制備的硅片質(zhì)量更高，因為含氧量低。
8英吋以上的硅片，選擇CZ法制備，晶圓直徑大。
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問答題
【簡答題】化學機械平坦化的工作機理是什么？與傳統(tǒng)平坦化方法相比，它有哪些優(yōu)點？
答案：
化學機械平坦化（CMP）工作機理：表面材料與磨料發(fā)生反應，生成容易去除的表面層；同時表面層通過磨料中的研磨劑和研磨壓力與...
問答題
【簡答題】Si3N4材料在半導體工藝中能否用作層間介質(zhì)，為什么？請舉兩例說明Si3N4在集成電路工藝中的應用。
答案：
Si3N4材料在半導體工藝中不能用作層間介質(zhì)，因為Si3N4材料的介電常數(shù)大，用作層間介質(zhì)會引起很嚴重的互連延遲。
