單項(xiàng)選擇題對(duì)副載波陷波電路的要求為：吸收深度大于（）dB、吸收帶寬為150—250kHz。

A、15
B、20
C、5
D、10


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1.單項(xiàng)選擇題混頻電路的核心是（）器件。

A、線性
B、非線性
C、溫度補(bǔ)償
D、穩(wěn)壓

2.單項(xiàng)選擇題圖像中頻是（）MHz。

A、38
B、31.5
C、6.5
D、4.43

3.單項(xiàng)選擇題TDQ—3型調(diào)諧器中雙柵場(chǎng)效應(yīng)管接成（）級(jí)聯(lián)放大器。

A、共射—共射
B、共射—共基
C、共射—共集
D、共源—共柵

4.單項(xiàng)選擇題場(chǎng)效應(yīng)管線性范圍寬、AGC控制靈敏、控制（）大。

A、電壓
B、電流
C、范圍
D、功率

5.單項(xiàng)選擇題雙柵場(chǎng)效應(yīng)管高頻放大器輸出回路采用（）耦合雙調(diào)諧回路。

A、電容
B、電感
C、電阻
D、直接