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原子發(fā)射光譜分析過程主要分三步：（）、（）和（）。

ICP-AES分析中，產(chǎn)生連續(xù)背景的因素有（）、（）、（）和（）4種。

簡述電感耦合高頻等離子焰炬的特點(diǎn)。

簡述等離子體發(fā)射光譜法的分析原理。

等離子體是目前最廣泛應(yīng)用的原子發(fā)射光譜光源，主要包括（）、（）和（）。

ICP光譜儀的進(jìn)樣裝置通常是由（）、（）和（）組成。

目前常用的電感耦合等離子發(fā)射光譜儀通常分為（）式、（）式和（）式3種。

根據(jù)原子的特征發(fā)射光譜來研究物質(zhì)的結(jié)構(gòu)和測定物質(zhì)的化學(xué)成分的方法稱為（）。

ICP發(fā)射光譜技術(shù)具有靈敏度高、精密度高、基體干擾少、線性范圍寬和可以（）同時分析的優(yōu)點(diǎn)。

電感耦合等離子體焰炬自下而上溫度逐漸升高。