單項(xiàng)選擇題當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，即會(huì)產(chǎn)生一空乏層，而P型半導(dǎo)體之空乏層內(nèi)應(yīng)有（）
A.電洞
B.電子
C.正離子
D.負(fù)離子
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1.單項(xiàng)選擇題二極管并聯(lián)可增加（）
A.最大電流
B.最大逆向電壓
C.交換時(shí)間
D.以上皆正確
2.單項(xiàng)選擇題P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體結(jié)合時(shí)，會(huì)在PN接合面上形成空乏區(qū)，則空乏區(qū)靠N型側(cè)內(nèi)有下列何者？（）
A.電子
B.電洞
C.正離子
D.負(fù)離子
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