A.1倍
B.3倍
C.6倍
D.9倍
E.16倍
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A.劑量建成區(qū)
B.低劑量坪區(qū)
C.高劑量坪區(qū)
D.劑量跌落區(qū)
E.X射線污染區(qū)
A.W=2rSin（β/2）/[1-（f/r）Cos（β/2）]
B.W=2rSin（β/2）/[1-（r/F.Cos（β/2）]
C.W=2rSin（f/2）/[1-（r/F.Cos（β/2）]
D.W=2rSin（β/2）/[1-（r/F.Cos（f/2）]
E.W=2rCos（β/2）/[1-（r/F.Sin（β/2）]
A.2.3
B.2.4
C.3.4
D.4.3
E.4.4
A.2.3
B.2.4
C.3.4
D.4.3
E.4.4
A.X射線準(zhǔn)直器；電子束準(zhǔn)直器
B.X射線準(zhǔn)直器；體表限束器
C.電子束準(zhǔn)直器；X射線準(zhǔn)直器
D.電子束準(zhǔn)直器；體表限束器
E.體表限束器；X射線準(zhǔn)直器
最新試題
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X（γ）射線SRT（SRS）的基本特征。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
對(duì)重離子，線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)，而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
源皮距越小，百分深度劑量越大。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度，也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。